氮化镓（GaN）归于第三代半导体，又被称为宽禁带半导体，和第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等长辈比较，其在特性上有杰出的优势：由于禁带宽度大、导热率高，氮化镓器材可在200°C以上的高温下作业，可以承载更高的单位体积内的包括的能量，牢靠性更高；较大的禁带宽度和绝缘损坏电场，使得器材导通电阻削减，有利与进步器材全体的能效；电子饱满速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器材高速地作业。
成都氮矽科技有限公司(以下简称氮矽科技)建立于2019年，坐落成都市高新区，是国内第一批建立的氮化镓规划企业，致力于打造归于我国的氮化镓世界一流品牌。氮矽科技首要研制根据第三代半导体资料氮化镓（GaN）的芯片，专心于氮化镓功率器材及其驱动芯片的规划研制、出售及计划供给，并经过国内首款独立研制与制造的GaN Power IC完结氮化镓在电力电子范畴的革新。与此一起，氮矽科技还将聚集手机快充、车载充电(OBC)、5G基站电源模块三大氮化镓运用商场的高端技能发展，不断开发完善牢靠的运用解决计划。2021年末，氮矽科技当选电子信息范畴抢先媒体《电子工程专辑》评选的我国工程师最喜欢的十大充电器氮化镓芯片厂商。
据氮矽科技首席运营官刘家才先生介绍，出于进步器材的牢靠性安全性的理念，氮矽科技现在已发布推出驱动芯片DX1001、传统封装功率器材产品DX6507X、DX6510X、DX6515X、先进封装功率器材产品DX6507E、DX6510E、先进封装合封产品DX6521E等多样化产品，均为团队自主研制。
值得一提的是，DX6510D（650V氮化镓功率器材4x4mm）曾取得2021我国IC规划成就奖之年度最佳新资料器材奖。“DX6510D是一款全球最小650V/160mΩ氮化镓功率器材，选用了为氮化镓量身定做的全新自研板级封装、双面散热，散热才能远超同尺度DFN”，刘家才先生介绍到。
2022年1月，氮矽科技推出国内抢先的80V耐压的氮化镓半桥驱动DX2104C。这是自2020年3月氮矽科技推出氮化镓低侧驱动器DX1001以来，氮矽科技在氮化镓驱动芯片范畴的又一重大突破。
氮矽科技DX2104是一颗增强型氮化镓器材专用的半桥驱动器芯片， 具有25ns的快速传达推迟时间，1ns优异的传达推迟匹配。芯片内置供电欠压确定维护功用，具有低静态电流。驱动器具有分栅输出，便利独立调理注册和关断速率，最高作业频率可达数MHz。DX2104选用DFN4*4-10封装，散热片显露，有着十分强的散热才能。DX2104可用于半桥或全桥转换器、同步降压转换器、无线充电器、D类功放、步进电机驱动等多种运用范畴。
氮矽科技的创始人兼CEO的罗鹏博士，结业于德国勃兰登堡州科技大学，博士后上任于德国柏林费迪南德布朗-莱布尼茨研究所，一起师从欧洲氮化镓IC规划权威、IEEE终身会员Wolfgang Heinrich教授和IEEE fellow Matthias Rudolph教授。通晓氮化镓器材物理特性，留学期间建立的GaN HEMT圈套效应模型被学术界以及产业界广泛采用作为规范模型并作为团队核心成员参加规划军用等级氮化镓超高稳健性低噪声放大器。具有超越5年的第三代半导体氮化镓IC的研制造业经历，亲自参加过多个世界抢先的氮化镓产品的研制，具有老练的开发思维和自主的技能。在世界尖端期刊和闻名会议宣布过十余篇科技论文并作为一起发明人具有两项相关专利。
据氮矽科技资深GaN器材总监刘勇博士介绍，氮矽科技草创团队由具有欧美和国内氮化镓范畴超越13年的研制从业经历者组成。现有开发团队以博士研究生为主，研制人员占比近70%。
现在，氮矽科技已和三星、三安、海信、vivo、长虹等多家优质主体达到协作同伴关系，一起得到核心技能协作同伴“电子科技大学功率集成技能实验室”的全力支持。其间，氮矽科技联合三安集成打造了Corporation IDM 战略协作形式，在挑选三安作为氮化镓功率器材代工的重要协作同伴之后，氮矽科技与三安在氮化镓功率器材的规划研制和生产上携手砥砺前行，完结氮化镓功率器材从规划到客户量产的全产业链自主完结。
刘家才先生最终讲到：“在迈向碳中和的道路上，社会需求更高效地贮存和运用清洁动力。氮化镓以其优异的高频率、低导通电阻等特性，协助电源改换体系完结优异的功率密度和杰出的体系功率，使其未来必将在新动力轿车、光伏发电等场景中发挥关键作用。氮矽科技在此愿景中预见了杰出的时机，并为此做了足够的预备，愿与情投意合的同伴们一起点亮我国第三代半导体宽广远景。”
第三代半导体资料公司氮矽科技获千万级Pre-A轮融资，研制功率氮化镓晶体管及其栅极驱动
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